기존 실리콘(Si) 반도체의 물리적 한계를 극복하고 에너지 효율을 극대화할 수 있는 차세대 차세대 화합물 반도체 소재로 '질화갈륨(GaN)'으로의 패러다임 시프트가 전 세계적으로 몰아치고 있습니다. 2025년에 약 1억 7,300만 달러의 자산 가치를 기록한 글로벌 갈륨나이트라이드(GaN) 웨이퍼 파운드리 시장은 예측 기간(2026년~2034년) 동안 연평균 성장률(CAGR) 20.4%이라는 경이적인 속도로 초고속 확장되어 오는 2034년에는 6억 1,300만 달러(한화 약 8,500억~9,500억 원 규모)에 달할 것으로 대대적으로 전망됩니다. 글로벌 반도체 기술 분석 전문 기관인 Semiconductor Insight의 최신 보고서에 따르면, GaN 웨이퍼는 실리콘 대비 수십 배 빠른 스위칭 속도, ..